一文搞懂开关电源里的各种损耗问题
2024-10-09要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。 与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分:导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通,且驱动和开关波形已经稳定以后,功率开关处于导通状态时的损耗;开关损耗是出现在功率开关被驱动,进入一个新的工作状态,驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。这些阶段和它们
电源内部损耗为什么会存在?
2024-10-02通常情况下要想搞清楚构成一个典型变换器的每个元器件上的寄生参数的性质,将有助于确定磁性元件参数、设计 PCB、设计 EMI 滤波器等。这是所有开关电源设计中最难的一部分。 要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。 与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分:导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已
YG902C2R(200V/10A至-22OF15) 低损耗超高速二极管
2024-06-16特征 超低压降 超高速开关。 刨床设计的高可达性。 应用 高速电源开关接线图 最大额定值和特性 绝对最大额定值 YG902C2- TO-220-封装, 高速快恢复二极管,双管. 10A200V 35ns 零件号YG902C2 低损耗超高速整流 特征 低正向电压降 大电流能力 外壳:完全绝缘成型至-220F 高浪涌电流能力 重量:约2.0克 极性:如二极管体所示 安装位置:任意 端子:可根据MIL-STD-202焊接 机械 最大额定值和电气特性 对于容性负载,将电流减额20%。 单相,半波,60
基于定向耦合器结构的低损耗、紧凑型双工器,赋能多种气体传感开发
2024-01-05微光子学凭借其高速处理速度、紧凑型尺寸以及将各种光学功能集成到单芯片的能力,在光谱和通信应用中都引起了极大的关注。而在通信领域,波分复用技术(WDM)在光信号处理中起着至关重要的作用。 据麦姆斯咨询报道,近日,由意大利巴里理工大学(Politecnico di Bari)、爱尔兰芒斯特理工大学(Munster Technological University)和爱尔兰延德尔国家研究所(Tyndall National Institute)组成的科研团队在Scientific Reports期刊
Y9T244 LPO与C2M高频损耗简析
2024-01-05在Y9T239里,提到LPO是在C2M和M2C之间的线性直驱,也就是交换机主芯片ASIC芯片(或者叫switch芯片,或者用FPGA也可以实现)到模块之间的电信号直接互联。也就是电信号互联距离的VSR类,大约150mm长度。 CPO是XSR互联, ~50mm长度,NPO是XSR+距离 Y9T239里提到的,因为CEI-112G的高频损耗与连0连1的信号低频损耗有差异,需要非线性的FFE或者DFE功能(这些通常包括在DSP芯片里),由于DSP的功耗很大,所以LPO把DSP取消掉。 嗯~~~~,L